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本书对坩埚下降法的历史进行总结回顾，并分章节重点介绍几种功能晶体的生长和应用，其中包括闪烁晶体锗酸铋、硅酸铋及其混晶，四硼酸锂压电晶体生长与应用，卤化物晶体坩埚下降法生长与闪烁性能，钨酸铅闪烁晶体及其在大科学工程中的应用，弛豫铁电单晶生长于表征进展，钨酸镉闪烁晶体的坩埚下降法生长研究，中红外非线性光学晶体磷化锗锌和砷化锗镉的生长与表征等。此外，依据研究对象和目的的不同，本专著还对坩埚下降法的一些技术创新工作进行了介绍。

第1章　历史回顾

1.1早期工作

1.2下降法生长卤化物单晶

1.3下降法生长半导体单晶

1.4下降法生长氧化物晶体

参考文献

第2章　闪烁晶体锗酸铋、硅酸铋及其混晶

2.1概述

2.2锗酸铋晶体

2.2.1晶体生长

2.2.2晶体缺陷

2.2.3晶体性能

2.2.4应用举例

2.3硅酸铋晶体

2.3.1Bi2O3SiO2赝二元系相图

2.3.2原料合成

2.3.3晶体生长

2.3.4生长缺陷

2.3.5闪烁性能及掺杂改性

2.3.6其他物理性能

2.3.7BSO晶体应用

2.4硅锗酸铋混晶

2.4.1固溶特性

2.4.2晶体生长

2.4.3闪烁性能

参考文献

第3章　四硼酸锂压电晶体生长与应用

3.1概述

3.1.1压电晶体

3.1.2四硼酸锂晶体

3.1.3四硼酸锂晶体生长

3.2坩埚下降法生长

3.2.1原料合成

3.2.2下降法生长

3.2.3工业化生长

3.3晶体缺陷

3.3.1气泡和包裹物

3.3.2串芯与云层

3.3.3开裂

3.3.4孪晶

3.3.5位错及其他缺陷

3.4物理性能

3.4.1基本性能

3.4.2压电性能

3.4.3光学性能

3.4.4其他物理性能

3.5SAW性能及应用

3.5.1SAW性能

3.5.2晶片加工

3.5.3SAW器件

3.6总结与展望

参考文献

第4章　卤化物晶体坩埚下降法生长与闪烁性能

第5章　钨酸铅闪烁晶体及其在大科学工程中的应用

第6章　弛豫铁电单晶生长与表征的进展

第7章　闪烁晶体钨酸镉坩埚下降法生长研究

第8章　中红外非线性光学晶体磷化锗锌和砷化锗镉的生长与表征

第9章　日本氧化物晶体坩埚下降法生长研究

参考文献

徐家跃，上海应用技术学院，教授，博导，工作业绩：徐家跃教授长期从事功能晶体的坩埚下降法生长技术研究，先后主持过包括国家863项目、中国科学院重大项目、国家自然科学基金项目、上海市青年科技启明星计划项目等多项研发课题，在压电晶体LBO、新型弛豫铁电晶体PZNT、非线性光学晶体KLN、半导体ZnO及GaAs晶体等研发和技术创新方面取得了一些重要研究成果，并在国际上首创底部籽晶法(BSSG)等新生长技术，在国内外重要学术刊物上发表论文150余篇，申请国家发明专利10余项，出版专著2部。采用多坩埚下降法研制并生产的新型压电晶体LBO，被日本、韩国等多家国际大公司采用，累计产值已超过7000万元，该项目1993年获得中科院科技进步一等奖、1995年获得国家技术发明二等奖、1997年获得国家专利局与世界知识产权组织联合颁发的“中国专利创造发明金奖”。

主要社会兼职：现任中国能源学会副理事长、中国硅酸盐学会晶体分会理事、中国光学会光学材料分会理事、国家人工晶体材料标准化委员会委员、全国频率器件选择用压电材料标准化委员会委员、上海市硅酸盐学会理事、上海市新材料协会理事以及《无机材料学报》、《硅酸盐学报》、《人工晶体学报》等刊物编委。

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