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《无机纳米材料的表面修饰改性与物性研究》纳米复合材料具有优异的性能和广泛的应用，是纳米材料科学研究的前沿和热点。怎样改善无机纳米颗粒在高聚物中的分散性，一直是一项富有挑战性的研究课题。纳米粉体的表面处理技术是一门新兴学科，20世纪90年代以来，随着纳米粉体制备技术的发展，以改善纳米粉体分散性、表面活性、功能性以及与其他物质之间的相容性为目的的表面处理或表面修饰技术应运而生。近年来，纳米粉体的表面处理(表面修饰)已形成了一个新的研究领域，从处理方法到处理对纳米粉体表面性质以及应用性能的影响，都有许多问题值得探讨。在这个领域进行研究的重要意义在于，人们可以根据应用需要有针对性地对纳米粉体表面进行改性，不但可以深入认识纳米粉体表面的基本物理化学效应，而且也改善和优化了纳米粉体的物化性能和应用性能，扩大了纳米粉体的应用范围。本书介绍了对不同用途低维纳米材料进行表面改性研究，以提高无机纳米颗粒与高聚物的相容性和稳定性及其在高聚物中的分散性，分析了表面改性对复合材料光催化、微波吸收和导电性能的影响，为有机一无机复合材料的实际应用提供了材料和物理基础。本书主要包括以下内容：

纳米结构粉体及其复合材料的性质和应用。纳米结构粉体表面改性的方法和常用的表面改性剂。纳米氧化铝和超细绢云母粉体用作高聚物改性填充材料时的表面改性方法及效果，研究发现经硅烷偶联剂表面改性及有机物预接枝聚合改性后，纳米氧化铝和超细绢云母粉体在有机溶剂介质中的分散性和稳定性显著提高，与有机物基体的相容性得到改善。

采用反相微乳液法在Al2O3表面上包覆La3+、Fe3+共掺杂TiO2，制备负载型掺杂TiO2光催化剂，并探讨了La3+、Fe3+共掺杂对TiO2吸光性能的影响，研究发现负载型共掺杂TIO2光催化剂的可见光催化活性比单元掺杂的高，在太阳光照射下对甲基橙具有更高的脱色率。

碳纳米管、纳米碳化硅的化学镀表面改性，探讨了预处理、化学镀和热处理等条件等对镀层组成、物相结构、表面形貌、粒度和分散性等的影响，并对金属化改性后的碳纳米管和纳米碳化硅的电磁波吸收涂料的性能进行了研究，发现改性后的复合涂料的吸波性能显著改善，吸收率提高，最高吸收峰向低频移动，且有宽化趋势。

对超细绢云母粉进行化学镀改性制备镀镍云母，并以其作为轻质导电填料部分替代镍粉制备了导电涂料。结果发现，当替代量≤25％时，导电涂料在30MHz～1000MHz频率范围的屏蔽系数达到30dB，可满足一般情况下对电磁屏蔽性的要求。

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书籍介绍

《无机纳米材料的表面修饰改性与物性研究》纳米复合材料具有优异的性能和广泛的应用，是纳米材料科学研究的前沿和热点。怎样改善无机纳米颗粒在高聚物中的分散性，一直是一项富有挑战性的研究课题。纳米粉体的表面处理技术是一门新兴学科，20世纪90年代以来，随着纳米粉体制备技术的发展，以改善纳米粉体分散性、表面活性、功能性以及与其他物质之间的相容性为目的的表面处理或表面修饰技术应运而生。近年来，纳米粉体的表面处理(表面修饰)已形成了一个新的研究领域，从处理方法到处理对纳米粉体表面性质以及应用性能的影响，都有许多问题值得探讨。在这个领域进行研究的重要意义在于，人们可以根据应用需要有针对性地对纳米粉体表面进行改性，不但可以深入认识纳米粉体表面的基本物理化学效应，而且也改善和优化了纳米粉体的物化性能和应用性能，扩大了纳米粉体的应用范围。本书介绍了对不同用途低维纳米材料进行表面改性研究，以提高无机纳米颗粒与高聚物的相容性和稳定性及其在高聚物中的分散性，分析了表面改性对复合材料光催化、微波吸收和导电性能的影响，为有机一无机复合材料的实际应用提供了材料和物理基础。本书主要包括以下内容：

纳米结构粉体及其复合材料的性质和应用。纳米结构粉体表面改性的方法和常用的表面改性剂。纳米氧化铝和超细绢云母粉体用作高聚物改性填充材料时的表面改性方法及效果，研究发现经硅烷偶联剂表面改性及有机物预接枝聚合改性后，纳米氧化铝和超细绢云母粉体在有机溶剂介质中的分散性和稳定性显著提高，与有机物基体的相容性得到改善。

采用反相微乳液法在Al2O3表面上包覆La3+、Fe3+共掺杂TiO2，制备负载型掺杂TiO2光催化剂，并探讨了La3+、Fe3+共掺杂对TiO2吸光性能的影响，研究发现负载型共掺杂TIO2光催化剂的可见光催化活性比单元掺杂的高，在太阳光照射下对甲基橙具有更高的脱色率。

碳纳米管、纳米碳化硅的化学镀表面改性，探讨了预处理、化学镀和热处理等条件等对镀层组成、物相结构、表面形貌、粒度和分散性等的影响，并对金属化改性后的碳纳米管和纳米碳化硅的电磁波吸收涂料的性能进行了研究，发现改性后的复合涂料的吸波性能显著改善，吸收率提高，最高吸收峰向低频移动，且有宽化趋势。

对超细绢云母粉进行化学镀改性制备镀镍云母，并以其作为轻质导电填料部分替代镍粉制备了导电涂料。结果发现，当替代量≤25％时，导电涂料在30MHz～1000MHz频率范围的屏蔽系数达到30dB，可满足一般情况下对电磁屏蔽性的要求。